密布线痕（密集型线痕）：由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题，造成硅片上出现密集线痕区域。

表现形式：（1）硅片整面密集线痕。（2）硅片出线口端半片面积密集线痕。

（3）硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。（4）部分不规则区域密集线痕。

（5）硅块头部区域密布线痕。

改善方法：（1）硅片整面密集线痕，原因为砂浆本身切割能力严重不足引起，包括SIC颗粒度太小、砂浆搅拌时间不够、砂浆更换量不够等，可针对性解决。

（2）硅片出线口端半片面积密集线痕。原因为砂浆切割能力不够，回收砂浆易出现此类情况，通过改善回收工艺解决。

（3）硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。原因为切片机台内砂浆循环系统问题，如砂浆喷嘴堵塞。在清洗时用美工刀将喷嘴内赃物划向两边。

（4）部分不规则区域密集线痕。原因为多晶硅锭硬度不均匀，部分区域硬度过高。改善铸锭工艺解决此问题。

（5）硅块头部区域密布线痕。切片机内引流杆问题。

太阳能电池板的反向设计应标有技术参数，例如：开路输出电压，短路故障电流，工作电压等。然后，这取决于太阳能电池板反面的承压效果。太阳能板。如果在加压后有很多气泡，皱纹和其他痕迹，则将这种显影太阳能电池板归类为不合格。

非晶硅太阳能电池 非晶硅太阳电池是1976年出现的新型薄膜式太阳电池，它与单晶硅和多晶硅太阳电池的制作方法完全不同，工艺过程大大简化，硅材料消耗很少，电耗更低，它的主要优点是在弱光条件也能发电。

单晶硅用于太阳能电池无疑转换效率是的，在大规模应用和工生产中仍占据主导地位，但是受到单晶硅材料价格及相应繁琐的电池工艺影响，致使单晶硅成本价格居高不下，要想大幅度降低其成本是非常困难的，为了节省高质量材料，寻找单晶硅电池的替代品具有很大的前景。