多晶硅硅料回收后的清洗方法，将多晶硅硅料置于混合酸液中进行避光浸泡1分钟～10分钟，混合酸液温度为30℃～35℃，后捞取，用纯水冲洗，再经超声冲洗、压缩空气鼓泡后烘干；混合酸液为腐蚀液，配比为硝酸∶氢氟酸∶冰乙酸的溶液体积比为57∶18∶25；硝酸浓度为68％～72％，氢氟酸浓度为38％～41％，冰乙酸浓度为99.8％～99.9％；纯度等级为MOS级或UP级。将多晶硅硅料置于混合酸液中避光浸泡前，可以在氢氟酸液中进行避光预浸泡，也可以先在溶解光阻的溶剂中进行避光浸泡。用本方法清洗的多晶硅硅料，表面光洁，无酸渍、水渍，其优点为清洗效果好，清洗成本低，操作难度低，易于控制清洗质量，提高了清洗收率。

从各企业生产情况看，目前全国在产多晶硅企业14家，江苏中能及新特能源仍维持超负荷运行，江苏中能6.8万吨/年改良西门子法超载运行，年产量达7.2万吨左右，正常状态下每月产量在6100-6200吨（按31天算）。特变电工进入2016年开始，每月维持在2200吨左右的超负荷生产，产量仍居国内第二位。洛阳中硅在2015年8月份技改结束后，产量从9月份开始增加到千吨以上，仍位居国内第三。国内其他企业月产量在千吨以上的有：新疆大全、四川永祥、亚洲硅业，这三家企业在1-2月份期间除四川永祥因电网线路问题影响产量外，其他均正常生产。多晶硅回收找伍征，其余月产量在千吨以下的企业也有部分在检修技改，以期在未来淘汰整合过程中赢得先机。

单晶硅主要用于制作半导体元件。

用途： 是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等

熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。

单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。

单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。

单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体伸长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材，外延法伸长单晶硅薄膜。直拉法伸长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。

由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）单晶硅材料应用广。在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光片，因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch－up的能力。

硅片直径越大，技术要求越高，越有市场前景，价值也就越高。

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