单晶硅片目前的厚度普遍爲186微米或许192微米；而多晶硅片的厚度普遍爲200微米，金刚线切割以后有利于薄片化，所以1kg准方锭金刚线的出片量目前爲65片（隆基股份明年导入50微米线以后会更进一步提升至70张），而多晶爲59片（出片量数据均包括B片）。

由于单晶的“长晶”本钱更高，因此更细的金刚线带来的出片量的提升清楚更有利于单晶硅片的本钱降低，所以我们如今看到的就是：单晶企业普遍愈加积极的运用60微米的金刚线，甚至在积极爲明年导入50微米的金刚线做预备，而多晶硅片企业当前则普遍满足于70微米线，这面前就是和长晶本钱的不同有关。

单多晶硅片回收后在电池制绒的进程中的工艺会使得硅片表面构成类似金字塔的结构从而十分有利于光线的吸收，所以单晶金刚切硅片完全不影响单晶电池的制绒的全进程。单晶电池的碱法制绒工艺可以非常有效的降低硅片的反射率，所以无需叠加任何工艺直接进入电池制绒环节。

而关于多晶硅片，酸制绒工艺并不有利于降低硅片反射度，所以关于金刚线切割消费的多晶硅片需求额外叠加“黑硅或许添加剂”技术。添加剂技术无需添加新的设备，只需添加一道工艺，今年金刚线切割多晶硅片之所以能失掉大范围的普及主要有赖于添加剂技术的成熟运用，但在转换效率上略有下降。根据弘宁新动力技术人员引见，经过不时优化以后，可保证运用添加剂的单多晶硅片回收转换效率不降低，72片标准组件的功率可以做到300W。

单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体伸长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材，外延法伸长单晶硅薄膜。直拉法伸长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。

由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）单晶硅材料应用广。在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光片，因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch－up的能力。

硅片直径越大，技术要求越高，越有市场前景，价值也就越高。

(2)多晶硅太阳电池板

在制造多晶硅太阳能电池板时，作为原材料的高纯硅不是被拉成单一产品，而是后来被浇铸成正方龙日晶硅锭的不同取向，然后用切割机切割成薄片，再加工成电池。因为硅片是由几个不同大小和取向的晶粒组成的。

因此，多晶硅太阳能电池板的转换效率低于单晶硅太阳能电池板。大规模生产的商用多晶硅太阳能电池板的转换效率高达16%-19%。

由于其制造成本低，近年来发展迅速，已成为太阳能电池的产量和市场份额。