抛光液作为金属加工液检测种类的重要一员，对金属表面的打磨处理，满足平坦化需求起着关键性的作用。抛光液适用于铅锡合金， 铜， 锌合金， 不锈钢， 铝合金， 铁等金属零部件的抛光， 光亮度可达 12 级， 可取代多种进口抛光剂和抛光粉。

二、地面原始亮度对出光效果的影响 固化地评经过多种目数的树脂磨片抛光后，已具备可观的亮度，在此基础上再采用地坪抛光液进行处理，可以进一步提升地坪的亮度。所以固化地坪亮度的「天花板」在哪里，实际上也是由原始地面基础决定的。 比如说，工艺设计要求完成2000抛光后再上抛光液材料，而部分人员可能在500时就着急上料了，此时地面仍然是麻面，该状态下就想做出理想效果多少是不现实的。 三、材料用量对出光效果的影响 地坪抛光液的用量应控制在合适的范围内，过多会造成不必要的浪费，过少则做不出该有的效果。注：以巴西蜡为基材的地坪抛光液，建议用量是1000m桶。 四、抛光设备对出光效果的影响 工欲善其事，必先利其器。抛光工序除了要准备好材料，还要准备好相应的抛光工具，主要是抛光机和抛光垫。

化学抛光是一种将金相样品浸入调配的化学抛光液中，借化学药剂的溶解作用而得到的抛光表面的抛光方法。化学抛光是常见的金相样品抛光方法之一，这种方法操作简便，不需任何仪器设备，只需要选择适当的化学抛光液和掌握的抛光规范，就能快速得到较理想的光洁而无变形层的表面。

半导体行业 CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。