抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。 抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。

抛光液是一种不含任何硫、磷、氯添加剂的水溶性抛光剂，抛光液具有良好的去油污，防锈，清洗和增光性能，并能使金属制品显露出真实的金属光泽。性能稳定、，对环境无污染等优点。包括棘轮扳手、开口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺丝刀等，铅锡合金、锌合金等金属产品经过研磨以后，再使用抛光剂配合振动研磨光饰机，滚桶式研磨光式机进行抛光。

二、地面原始亮度对出光效果的影响 固化地评经过多种目数的树脂磨片抛光后，已具备可观的亮度，在此基础上再采用地坪抛光液进行处理，可以进一步提升地坪的亮度。所以固化地坪亮度的「天花板」在哪里，实际上也是由原始地面基础决定的。 比如说，工艺设计要求完成2000抛光后再上抛光液材料，而部分人员可能在500时就着急上料了，此时地面仍然是麻面，该状态下就想做出理想效果多少是不现实的。 三、材料用量对出光效果的影响 地坪抛光液的用量应控制在合适的范围内，过多会造成不必要的浪费，过少则做不出该有的效果。注：以巴西蜡为基材的地坪抛光液，建议用量是1000m桶。 四、抛光设备对出光效果的影响 工欲善其事，必先利其器。抛光工序除了要准备好材料，还要准备好相应的抛光工具，主要是抛光机和抛光垫。

半导体行业 CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。