研磨液的添加量是根据水质和产生切削屑来决定的,水质硬切削量多,则研磨液的添加量应多些。由于离心式研磨机在相同的时间内切屑量多,所以研磨液的添加量应多些。研磨液少量滴入滚筒内被水搅匀后,在光整时会粘附在零件与磨料的表面,对金属表面氧化膜的化学作用,使其软化,易于从表面研磨除去,以提高研磨效率。
半导体行业
CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展,对抛光技术提出了新的要求,传统的抛光技术(如:基于淀积技术的选择淀积、溅射等)虽然也可以提供“光滑”的表面,但却都是局部平面化技术,不能做到全局平面化,而化学机械抛光技术解决了这个问题,它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
氧化铝和碳化硅抛光液
是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液,主要成分是微米或亚微米级的磨料。
主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。
这两个概念主要出半导体加工过程中,初的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等,但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末,一种新的抛光技术——化学机械抛光技术(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了旧的方法。