这两个概念主要出半导体加工过程中,初的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等,但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末,一种新的抛光技术——化学机械抛光技术(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了旧的方法。
多晶金刚石抛光液 多晶金刚石抛光液以多晶金刚石微粉为主要成分,配合高分散性配方,可以在保持高切削率的同时不易对研磨材质产生划伤。 主要应用于蓝宝石衬底的研磨、LED芯片的背部减薄、光学晶体以及硬盘磁头等的研磨和抛光。
半导体行业 CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展,对抛光技术提出了新的要求,传统的抛光技术(如:基于淀积技术的选择淀积、溅射等)虽然也可以提供“光滑”的表面,但却都是局部平面化技术,不能做到全局平面化,而化学机械抛光技术解决了这个问题,它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
应用领域 1、 光通讯领域,配合公司专门为光纤连接器开发的抛光产品,能达到超精细抛光效果,抛光后连接器端面没有划伤和缺陷,3D指标和反射衰减指标达到国际标准。 2、 硬盘基片的抛光,SiO2磨料呈球形,具有粒度均匀、分散性好、平坦化效率高等优点。 3、 硅晶圆、蓝宝石等半导体及衬底材料的粗抛和精抛,具有抛光速率高,抛光后易清洗,表面粗糙度低,能够得到总厚偏差(TTV)极小的质量表面。 4、其他领域的应用,如不锈钢、光学玻璃等领域,抛光后能达到良好的抛光效果