抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。

抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。

CMP抛光液利用“软磨硬”的原理很好的实现了蓝宝石表面的精密抛光。随着LED行业的快速发展，聚晶金刚石研磨液及二氧化硅溶胶抛光液的需求也与日俱增。

多晶金刚石研磨液是利用多晶金刚石良好的韧性制成的研磨液，在研磨抛光过程中能够保持高磨削力的同时不易产生划伤，为后续精密抛光加工提供了良好的条件。广泛用于光学晶体、陶瓷、超硬合金等各种硬质材料的研磨和抛光。 [1]

氧化硅抛光液是以高纯度硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光。如：硅片、化合物晶体、精密光学器件、宝石等的抛光加工。